Вот уже прошло несколько лет с того момента, как HP Labs доказали миру возможность существования так называемых мемристоров — элементов в микроэлектронике, способный изменять свое сопротивление, который можно использовать в качестве ячейки памяти…
И хотя теоретическое описание мемристора было сделано еще в 1971 году профессором Леоном Чуа (Leon Chua), потребовалось не одно десятилетие, пока был создан первый лабораторный образец. Однако, от создания первого элемента, до построения модулей памяти, которые будут достаточно надежными, а также простыми и недорогими в произведстве, путь нелегок и неблизок. Даже для такого гиганта, как НР. И вот, стало известно, что компания заключила договор с корпорацией Hynix Semiconductor, известной обычному потребителю своими модулями памяти. Совместно они будут создавать резестивную память с произвольным доступом — ReRAM (Resistive Random Access Memory).
Теоретически, новый тип памяти должен быть куда быстрее и надежнее существующих ныне аналогов. Но поработать еще предстоит — по самым оптимистичным прогнозам, появления коммерчески пригодных модулей памяти на новой технологии следует ожидать не ранее 2013 года.
Разработчики не сомневаются в успехе своей миссии. Стэн Уильямс (Stan Williams), старший научный сотрудник HP, уже назвал эту разработку одной из важнейших.
